پیشرفت تراشه فوتونیک یک مطالعه جدید به رهبری دکتر یوهان ریمنسبرگر در گروه کیپنبرگ است. اکنون با توسعه یک تقویت کننده موج سیار بر اساس مدار مجتمع فوتونیک که در رژیم پیوسته کار می‌کند، به این چالش پرداخته است.

ریمنسبرگر می‌گوید: «نتایج ما نقطه اوج بیش از یک دهه تلاش تحقیقاتی در فوتونیک غیرخطی یکپارچه و پیگیری تلفات کم‌تر است».

محققان از یک مدار مجتمع فوتونی نیترید سیلیکون با تلفات بسیار کم بیش از دو متر طول برای ساخت اولین تقویت کننده موج سفر بر روی یک تراشه فوتونیک به اندازه ۳×۵ میلی متر مربع استفاده کردند.

این تراشه در یک رژیم پیوسته کار می کند و بهره خالص ۷ دسی بل را روی تراشه و ۲ دسی بل بهره خالص فیبر به فیبر را در باندهای مخابراتی ارائه می دهد. تقویت پارامتری سود خالص روی تراشه در نیترید سیلیکون نیز اخیراً توسط گروه های Victor Torres-Company و Peter Andrekson در دانشگاه چالمرز به دست آمد.

در آینده، این تیم می تواند از کنترل دقیق لیتوگرافی برای بهینه‌سازی پراکندگی موج بر برای پهنای باند بهره پارامتری بیش از 200 نانومتر استفاده کند. از آنجایی که تلفات اساسی جذب نیترید سیلیکون بسیار کم است (حدود 0.15 دسی بل بر متر)، بهینه‌سازی های بیشتر در ساخت می تواند حداکثر بهره پارامتری تراشه را با تنها 750 میلی وات توان پمپ به بیش از 70 دسی بل افزایش دهد که از عملکرد بهترین فیبر مبتنی بر فیبر بیشتر است.

کیپنبرگ می‌گوید: حوزه‌های کاربردی چنین تقویت‌کننده‌‌هایی نامحدود است.